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（f）奈奎斯特图，缺电等效电路和拟合结果。相关成果以Extremelylowself-dischargesolid-state supercapacitorsviatheconfinementeffectofiontransfer发表于《JournalofMaterialsChemistryA》上，向中硕士研究生王子兴为第一作者，向中张海涛副教授和杨维清教授为共同通讯作者。

此外，国买基于BISE的超级电容器在75 ºC的高温下也表现出较低的自放电率，BISE还可以应用于软包超级电容器。黏土分子中硅-氧键的限域效应会抑制欧姆泄漏和扩散控制的法拉第过程，越南从而降低超级电容器的自放电率。缺电（c）扩散控制模型的拟合曲线。

向中（b）电势驱动模型的拟合曲线。国买（c）不同温度下扩散过程的示意图。

该项工作得到了国家自然科学基金、越南四川省科技厅国际合作项目以及中央高校基础研究经费等项目的支持。

缺电（e）5到20mVs-1扫描速率下的循环伏安曲线。此外，向中利用传统增材制造技术可以实现具有完全自动化增材制造高性能电子器件的重大突破。

LB组装可能是解决这一挑战的最佳方法之一，国买因其能够强制对准SWCNT。越南纳米增材方法能够精确控制电荷陷阱层的厚度。

缺电重复单层沉积自然导致多层的形成。向中3.4纳米增材制造在光电探测器中的应用图7用于光电探测器的LbL组装纳米薄膜。